10月6日，瑞萨电子宣布推出公司首款低压氮化镓功率半导体产品，为100V增强型（E-mode）GaN分立功率晶体管系列，面向AI数据中心、人形机器人、工厂自动化和工业电机驱动等应用领域。
该系列型号包括RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC。相比同类GaN器件，硬开关优值（FOM）最高降低35%，软开关FOM最高降低63%。
相比硅基设计，该系列效率提升1%至3%，并消除Qrr损耗，开关损耗降低40%至70%；器件保持与硅器件兼容的封装尺寸，提供多种标准MOSFET兼容封装，便于客户从硅MOSFET布局迁移，无需大幅重新设计PCB。
瑞萨此前的GaN产品多基于其收购的Transphorm的耗尽型SuperGaN技术，本次100V产品是其首款增强型（E-mode）GaN分立器件。