9月28日晚间，长鑫科技连发两份投资公告：241亿元DRAM技术研发项目，加上108亿元存储器晶圆后道测试基地二期，单日合计349亿元。其中180亿元直接来自IPO超募资金，剩下的通过增资借款补足。
241亿元研发项目建设周期30个月，聚焦DRAM制程工艺迭代。9月，公司第五代DRAM工艺技术平台正式量产，依托四重曝光技术将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米；上半年研发投入68.59亿元，同比增长87.38%，241亿元相当于上半年研发投入的3.5倍。
长鑫科技2026年上半年实现营业收入1503.1亿元，同比增长873.64%；归母净利润776.05亿元，去年同期亏损23.32亿元；主营业务毛利率84.84%，经营性现金流净额1311.56亿元。据CFM闪存市场数据，2026年二季度全球DRAM市场规模1470.24亿美元，环比增长55.9%，长鑫存储份额已逼近10%，位列全球第四。