长鑫科技9月28日晚间发布公告，拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目，并通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司提供超募资金50亿元，由其投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目。
技术研发项目主要用于技术研发，项目总投资金额241亿元，建设周期30个月。
存储器晶圆后道测试基地二期项目计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装，项目总投资金额108亿元，建设周期37个月。
长鑫科技表示，测试是DRAM生产中不可或缺的关键环节，随着产能提升、产品种类增多，可能面临外部封测厂测试产能不足和新增投资配套不足问题，自建测试产能可降低DRAM芯片测试成本，完善IDM模式。