9月18日，据路透社援引三位知情人士消息，长鑫存储计划进军闪存市场，并计划在其位于北京的新工厂建设一条用于NAND闪存研发的生产线。
知情人士称，长鑫存储还在北京设立了研发机构，相关研发项目包含NAND技术开发；公司已就NAND业务规划与客户展开接洽，其中一家新成立的初创企业计划采购其NAND芯片，用于人工智能系统及超级计算机的存储产品研发与部署。
TrendForce集邦咨询数据显示，按营收口径，三星电子以29.3%的市场份额位居2026年第二季度全球闪存市场榜首，SK海力士次之，美光紧随其后。长鑫存储DRAM内存营收在2026年第二季度达到146.24亿美元，环比增幅99.3%，市占从2026Q1的7.6%提升至9.5%。