9月14日，韩媒THE ELEC报道称，三星电机正与高通合作开发面向AI半导体芯片的2.1D先进封装，双方已在该异构集成技术平台上进行超一年的研发与认证。
两家企业的2.1D封装采用嵌入式有机桥片，设计思路类似英特尔EMIB，但以更平价的有机材料取代EMIB中的硅桥片。此举一方面可降低制造成本，也可规避英特尔持有的EMIB专利。
三星电机尝试的有机桥片可视为以RDL（重布线层）工艺形成5~7层微电路的小型衬底，目标实现1.5~2μm的线宽/间距、4~5μm的通孔尺寸、500~1000/mm的图案密度。与传统FC-BGA的堆叠式电路相比，有机桥片能够实现更精细的布线，从而带来更高的I/O带宽。