9月11日，据IT之家引述路透社此前报道，SK海力士在一份声明中表示，目标在2028年将High NA EUV光刻图案化工艺应用于DRAM大规模生产。
ASML在当地时间本月8日宣布与台积电、三星电子、英特尔合作，推动High NA EUV生态系统转向面积更大的12英寸掩膜（光罩）。SK海力士正评估是否加入这一联盟。
三星电子在同日新闻稿中确认计划在2028年将High NA EUV技术用于先进DRAM内存的大规模生产；美光则曾表示，计划为第7代10nm级DRAM工艺1δ（1-delta）导入最新一代EUV光刻设备。