9月7日，“破界·启新——碳化硅前沿技术分享暨碳化硅超级结MOSFET成果发布会”在上海举行。瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司与中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃团队联合发布了全球首款碳化硅超级结功率器件产品。
该器件源自双方自2021年开展的联合技术攻关，并协同晶圆代工厂芯联集成进行工艺平台开发。经过五年努力，器件实现1635V超高耐压，室温和175°C高温下比导通电阻分别低至1.27毫欧·平方厘米和1.5毫欧·平方厘米，电流密度较商业化国际顶级水平分别提升50%和166%。器件BFOM达2.1吉瓦每平方厘米，功率密度提升81%。
发布会上，瑶芯微电子联合创始人、CTO陈开宇表示，该器件逼近碳化硅材料的一维物理极限，将1200V碳化硅功率器件的综合性能推升至新高度。应用方面，该技术可助力新能源汽车主驱、车载电源、AI服务器电源等场景，并突破3300V以上高压大电流器件瓶颈，同时芯片面积缩小可降低单芯片成本。
目前，瑶芯微电子已在国内率先实现8英寸碳化硅MOSFET量产，其功率器件产品进入多家全球领先的汽车电子及AI数据中心客户。