在HotChips 2026国际高端芯片技术大会上，三星与SK海力士集中披露了HBM4下一代技术演进路线，打破行业沿用多年的HBM迭代逻辑。
三星HBM4/HBM4E产品Base Die采用自家4nm逻辑工艺，CDie使用1c DRAM节点，引脚速率最高11.7Gbps，可拓展至13Gbps，单堆栈带宽3.3TB/s。SK海力士选择与台积电合作，Base Die采用台积电12nm逻辑工艺，适配12层乃至16层超高堆叠架构。
新一代HBM4架构全面转向Base Die逻辑工艺升级、混合键合3D堆叠、EMIB异构混合封装三大创新方向。HBM从单一存储器件向“存储+逻辑+封装+IP+EDA”一体化系统转型。