SK海力士美国印第安纳HBM封装厂奠基，下一代HBM拟2029下半年量产

8月27日，SK海力士在美国印第安纳州举行先进存储封装工厂奠基仪式。该项目投资超过40亿美元，占地约133.5英亩，将成为SK海力士在美国的首个高带宽存储器（HBM）封装基地。

SK海力士首席执行官郭鲁正表示，该工厂洁净室预计于2028年10月启用，下一代HBM量产计划于2029年下半年启动。

项目全面运营后将成为重要HBM生产基地，预计雇用约1000名员工。