中国科学技术大学曾长淦教授、程广珲教授领衔的研究团队，联合上海交通大学蒋庆东副教授、麻省理工学院弗兰克·维尔切克教授等合作者，于8月19日在《自然》发表论文，首次利用“暗腔”实现了真空涨落对超导的增强效应。
研究团队引入由太赫兹分裂环谐振器构成的“暗腔”，将超导体二硒化铌（NbSe₂）嵌入其中。在六层二硒化铌器件中，超导临界温度最高提升5.4%，临界电流和临界磁场在超导转变附近也显著增强。这是国际上首次通过实验观测到该效应。
通过严格对照实验，团队排除了应变、退化、非均匀性等常规因素干扰。实验发现，超导增强效应随暗腔特征频率呈现共振峰形依赖关系。理论上，超导态通过与暗腔交换虚光子降低能量，从而增强超导性，为探索超导机理和设计新型超导器件提供了新思路。