三星拟用台积电3纳米工艺为英伟达生产HBM基底裸片

据界面报道，三星电子计划采用台积电的3纳米工艺，为英伟达生产下一代定制高带宽内存（HBM）的基底裸片。

报道称，英伟达希望供应商统一制造工艺，以确保性能的一致性。为此，英伟达已要求三星、SK海力士和美光在NVHBM的基底裸片生产中采用台积电的3纳米工艺。

报道显示，英伟达对NVHBM基底裸片制造工艺提出统一要求，三星、SK海力士和美光均被要求采用台积电的3纳米工艺。

报道还指出，此举标志着三星将首次在HBM制造阶段与台积电展开合作，涉及英伟达下一代定制HBM基底裸片的生产。