10月18日，据首尔经济日报报道，三星电子决定接受英伟达的技术要求，将采用台积电3nm工艺生产英伟达下一代定制HBM（NVHBM）的基底裸片。负责三星晶圆代工业务的设备解决方案事业部经过内部评估后作出该决定。
英伟达已向三星电子、SK海力士和美光三家NVHBM供应商提出要求：基底裸片使用台积电3nm工艺，核心裸片统一采用代号1c的第六代DRAM工艺。NVHBM基于HBM4E架构开发，是英伟达8月发布的定制版高带宽内存。
此前，三星供应的HBM产品中，核心裸片与基底裸片均由三星自主生产。对于标准HBM产品，三星仍会保留一站式全包生产策略；面向AMD等其他客户的定制HBM，也计划继续沿用该方案。三星还保留在自有晶圆厂研发、生产NVHBM的可能性，并正在验证能否在自有产线制造NVHBM基底裸片，作为防止NVHBM需求超出台积电产能上限的预案。